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NTT技術ジャーナル2019年8月号

発行日 : 2019年08月01日
総頁数:80頁
発行者:一般社団法人 電気通信協会
本体価格:990円(税込)

新機能物質・材料創製研究の最前線

NTTにおける新機能物質・材料創製研究の概要

山本 秀樹†1,後藤 秀樹†2
NTT物性科学基礎研究所†1
NTT物性科学基礎研究所 所長†2

最高の強磁性転移温度を持つ新絶縁物質Sr3OsO6の創製

若林 勇希,Yoshiharu Krockenberger,谷保 芳孝,山本 秀樹
NTT物性科学基礎研究所

磁気的純化されたエルビウム希薄添加酸化物結晶の作製と光物性――量子情報操作プラットフォームをめざして

俵 毅彦,稲葉 智宏
NTT物性科学基礎研究所

2次元伝導面を持つ高温超伝導体の基本物質のMBE成長と原子分解能観察

池田 愛,Yoshiharu Krockenberger,谷保 芳孝,山本 秀樹
NTT物性科学基礎研究所

原子層物質のCVD成長技術

Shengnan Wang,谷保 芳孝
NTT物性科学基礎研究所

新機能ワイドギャップ半導体材料の開拓

平間 一行,谷保 芳孝,山本 秀樹,熊倉 一英
NTT物性科学基礎研究所

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長――太陽光による水素生成デバイスへ向けて

舘野 功太†1,2,熊倉 一英†1
NTT 物性科学基礎研究所†1
NTTナノフォトニクスセンタ†2

<主役登場>新機能材料研究が切り拓く新しい世界

平間 一行
NTT物性科学基礎研究所 主任研究員

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NTT研究企画部門†1
NTTドコモ†2

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金子 麻衣※
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※ 現,一般社団法人情報通信技術委員会

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